| 応募期間 | ～2018年8月27日（月）17:00 |
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早稲田大学理工学術院総合研究所（以下「早大理工総研」）と東芝メモリ株式会社（以下「東芝メモリ」）とは、2018年7月より「半導体集積回路設計技術」、「半導体デバイス・製造・プロセス技術」、「情報処理技術」等の分野において、高度情報化社会を支えるために必要なメモリ技術に関する最先端の研究開発に取り組むため組織的連携活動を実施することになりました。
つきましては、今後の共同研究へ発展することを視野に入れたフィージビリティスタディ（ＦＳ）研究テーマを下記要領にて募集いたします。
高度情報化社会の実現に向けた研究であり、具体的には以下の分野です。なお、選考にあたっては、東芝メモリの事業領域との整合性も考慮いたします。
① 大容量メモリ材料・素子・プロセス技術
② 半導体計測・解析・シミュレーション・モデリング技術
③ 大規模低電力集積回路設計・評価技術
④ ストレージシステム・並列処理・機械学習・ビッグデータ解析等情報処理技術
早稲田大学の専任教員（教授・准教授・専任講師）、助教・助手・任期付教員（任期付研究員）※。
※ 助教・助手・任期付教員（任期付研究員を含む）が応募する場合は専任教員（理工学術院総合研究所の兼任研究員）の推薦を受けることを条件とします。
① 期間：採択通知の日（2018年9月21日予定）～2020年2月末
② 研 究 費：1テーマ100万円
① 成果報告：運営委員会への報告書の作成・提出、及び口頭での成果報告をお願いします。
（2020年3月予定）
② 成果の帰属：ＦＳ研究の知的財産権等の成果の帰属及び持分割合については東芝メモリと別途協議の上決定します。
③ 成果の公表：ＦＳ研究の成果は特段の事情がない限り公表できます。ただし公表の45日前までに、公表内容の東芝メモリの事前了解を原則必要とします。
※採択者には、本連携活動の取り決めに関する詳細についてご説明いたします。
① 申請方法：所定の申込書に必要事項をご記入の上、運営委員会事務局に電子メールにてご提出ください。
（申込書） 申込書 
をダウンロードしてご利用ください
（応募期間）2018年7月25日（水）～8月27日（月）17：00
（提出先）運営委員会事務局 メール： tmc-wise@list.waseda.jp
※将来の共同研究へ発展することを視野に入れたＦＳ研究であるため、応募前に東芝メモリの研究者と情報交換を行うことも可能です。
② 選考方法：早大理工総研／東芝メモリの両者からなる運営委員会にて決定する予定です。
※なお選考過程において、応募者に対して東芝メモリの研究者から内容の問い合わせまたは情報交換等を依頼する予定です。
③ 最終選考：2018年9月中旬
④ 採択通知：最終選考後、速やかにご連絡いたします。
研究期間中および終了後、東芝メモリが重点的研究として認め、研究者が同意した場合、別途、共同研究として研究の展開・継続を行います。
本募集を通じてお預かりした個人情報は、採択選考およびこれに伴う事務手続に使用し、個人情報保護法および関連諸法令に基づき安全かつ適正に取り扱いいたします。
早稲田大学 理工学術院総合研究所 児玉・清水
電 話：ダイヤルイン03-3203-7613 内線73-6107
メール：tmc-wise @list.waseda.jp