| 応募期間 | ～2018年8月27日（月）17:00 |
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早稲田大学理工学術院総合研究所（以下「早大理工総研」）と東芝メモリ株式会社（以下、「東芝メモリ」） とは、2018年7月より「半導体集積回路設計技術」、「半導体デバイス・製造・プロセス技術」、「情報処理技術」等の分野において、高度情報化社会を支えるために必要なメモリ技術に関する最先端の研究開発に取り組むため組織的連携活動を実施することになり、本連携活動の促進を図るため、早大理工総研・東芝メモリの両者からなる運営委員会を設置しています。
運営委員会では、本連携活動の一環として早大内若手研究者の研究を奨励し、高度情報化社会において多様化する社会的要求への対応を視野に入れた研究を担う人材育成を目的として、下記要綱にて研究テーマ募集を実施します。
研究テーマ採択者には、「研究助成の実施」「優れた研究への優秀研究賞の授与」を予定しています。
他制度で実施する研究も、重複応募を認める制度としていますので、多数の応募をお待ちしています。
「半導体集積回路設計技術」、「半導体デバイス・製造・プロセス技術」、「情報処理技術」等の分野に関連した研究
理工学術院に籍を置く2018年4月1日現在、以下の研究者
※応募にあたっては専任教員（理工学術院総合研究所の兼任研究員）の推薦を受けることを条件とします。
① 期間：採択通知の日（2018年9月21日予定）～2020年2月末
② 研 究 費：１テーマ50万円（早大理工総研－東芝メモリ連携活動費より助成）
① 成果報告：運営委員会への報告書の作成・提出、及び口頭での成果報告（2020年3月）。
※ 研究成果は運営委員会が審査し、優れた研究には優秀研究賞を授与予定。
② 成果の帰属：知的財産権等の成果の帰属及び持分割合については東芝メモリと別途協議の上決定します（職務発明規定の適用とならない場合は対象外）。
③ 成果の公表：研究の成果は特段の事情がない限り公表できます。ただし公表の30日前までに、公表内容の東芝メモリの事前了解を原則必要とします。
④ その他
・研究成果を学会等で公表する際は、支障がない限り「東芝メモリ若手研究者奨励助成」に基づく研究であることをご記載ください。
・アーリーバード等の学内研究助成、他機関からの研究助成との重複は許容しますが、他企業との共同研究等、守秘義務のある研究との重複は避けてください。
・研究実施期間中に、東芝メモリ担当者が研究内容の情報交換等を依頼する場合があります。
① 申請方法：所定の申込書に必要事項をご記入の上、運営委員会事務局に電子メールにてご提出ください。
（申込書） 申込書 
をダウンロードしてご利用ください
（応募期間）2018年7月25日（水）～8月27日（月）17：00
（提出先）運営委員会事務局 メール： tmc-wise@list.waseda.jp
※応募予定件数把握のため、応募を検討される方は事務局にお早目にご一報ください
② 選考方法：書面審査を行い、運営委員会にて選考決定する予定です。
③ 最終選考：2018年9月中旬
④ 採択通知：最終選考後、速やかにご連絡いたします。
研究助成期間中および終了後、東芝メモリが重点的研究として認め、研究者が同意した場合、別途、ＦＳ研究あるいは共同研究として研究の展開・継続を行います。
本募集を通じてお預かりした個人情報は、採択選考およびこれに伴う事務手続に使用し、個人情報保護法および関連諸法令に基づき安全かつ適正に取り扱いいたします。
早稲田大学 理工学術院総合研究所 児玉・清水
電 話：ダイヤルイン03-3203-7613 内線73-6107
メール：tmc-wise @list.waseda.jp